TRANSISTOR BIPOLAIRE BJT PNP 80V 1A

Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT Fabricant: ROHM Semiconductor RoHS: RoHS : conforme Détails Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: CPT-3 Polarité du transistor: PNP Configuration: Single Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: - 80 V Collecteur - Tension de base VCBO: - 80 V Émetteur - Tension de base VEBO: - 5 V Tension de saturation collecteur-émetteur : - 0.4 V Courant CC max. du collecteur: - 1 A Produit gain-bande passante fT : 100 MHz Température de fonctionnement max.: + 150 C Série: 2SB1181 Marque: ROHM Semiconductor Courant de collecteur continu : - 1 A Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 120 Gain de courant CC hFE max.: 390 Hauteur: 2.3 mm Longueur: 6.5 mm Conditionnement: Reel Pd - Dissipation d’énergie : 10 W Largeur: 5.5 mm