TRANSISTOR MOSFET N-CH FET 600V 3.0S IDSS 10 UA 1.0 OHM TOSHIBA

Fabricant: : Toshiba Catégorie du produit: : MOSFET RoHS: Détails Technologie: Si Style de montage: Through Hole Package/Boîte:TO-220-3 Nombre de canaux: 1 Channel Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 600 V Id - Courant continu de fuite: 6 A Rds On - Résistance drain-source: 1.25 Ohms Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2 V Vgs - Tension grille-source: 10 V Qg - Charge de grille: 16 nC Température de fonctionnement max.: + 150 C Configuration: Single Pd - Dissipation d’énergie : 40 W Mode canal: Enhancement Hauteur: 15 mm Longueur: 10 mm Série: TK6A60D Type de transistor: 1 N-Channel Largeur: 4.5 mm Marque: Toshiba Temps de descente: 12 ns Temps de montée: 20 ns Délai de désactivation type: 60 ns Délai d'activation standard: 40 ns Poids de l''unité: 6 g