TRANSISTOR N-MOSFET 600V 10A TO220-3

MOSFET Technologie: Si Style de montage: Through Hole TO-220-3 Nombre de canaux: 1 Channel Polarité du transistor: N-Channel Tension de rupture drain-source: 600 V Id - Courant continu de fuite: 10 A Rds On - Résistance drain-source: 450 mOhms Vgs th - Tension de seuil grille-source : 4 V Vgs - Tension grille-source: 25 V Qg - Charge de grille: 30 nC Température de fonctionnement min.: - 55 C Température de fonctionnement max.: + 150 C Configuration: Single Pd - Dissipation d’énergie : 90 W