TRANSISTOR MOSFET N-CH 500 V 17 A ZENER SUPERMESH

Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Détails Technologie: Si Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220-3 Nombre de canaux: 1 Channel Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 500 V Id - Courant continu de fuite: 17 A Rds On - Résistance drain-source: 270 mOhms Vgs th - Tension de seuil grille-source : 3 V Vgs - Tension grille-source: 10 V Qg - Charge de grille: 85 nC Température de fonctionnement max.: + 150 C Configuration: Single Pd - Dissipation d’énergie : 190 W Mode canal: Enhancement Conditionnement: Tube Hauteur: 9.15 mm Longueur: 10.4 mm Série: N-channel MDmesh Type de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET Type: MOSFET Largeur: 4.6 mm Marque: STMicroelectronics Temps de descente: 15 ns Type de produit: MOSFET Temps de montée: 20 ns Sous-catégorie: MOSFETs Délai de désactivation type: 70 ns Délai d'activation standard: 28 ns Poids de l''unité: 1,438 g