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TRANSISTOR MOSFET 200V 18A 150mOhm 44.7nC
- Reference: IRF640NPB
€2.90 Tax included
Description
Fabricant: Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS: Détails
Technologie: Si
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-220-3
Polarité du transistor: N-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V
Id - Courant continu de fuite: 18 A
Rds On - Résistance drain-source: 150 mOhms
Vgs - Tension grille-source: 20 V
Qg - Charge de grille: 44.7 nC
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 175 C
Pd - Dissipation d’énergie : 150 W
Mode canal: Enhancement
Configuration: Single
Hauteur: 15.65 mm
Longueur: 10 mm
Type de transistor: 1 N-Channel
Largeur: 4.4 mm
Marque: Infineon Technologies
Transconductance directe - min.: 6.8 S
Temps de descente: 5.5 ns
Type de produit: MOSFET
Temps de montée: 19 ns
Sous-catégorie: MOSFETs
Délai de désactivation type: 23 ns
Délai d'activation standard: 10 ns
Raccourcis pour l'article N°: IRF640NPBF SP001570078
Poids de l''unité: 6 g
Data sheet
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Marque
DIVERS
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