TRANSISTOR MOSFET 200V 18A 150mOhm 44.7nC

Fabricant: Infineon Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Détails Technologie: Si Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220-3 Polarité du transistor: N-Channel Nombre de canaux: 1 Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Id - Courant continu de fuite: 18 A Rds On - Résistance drain-source: 150 mOhms Vgs - Tension grille-source: 20 V Qg - Charge de grille: 44.7 nC Température de fonctionnement min.: - 55 C Température de fonctionnement max.: + 175 C Pd - Dissipation d’énergie : 150 W Mode canal: Enhancement Configuration: Single Hauteur: 15.65 mm Longueur: 10 mm Type de transistor: 1 N-Channel Largeur: 4.4 mm Marque: Infineon Technologies Transconductance directe - min.: 6.8 S Temps de descente: 5.5 ns Type de produit: MOSFET Temps de montée: 19 ns Sous-catégorie: MOSFETs Délai de désactivation type: 23 ns Délai d'activation standard: 10 ns Raccourcis pour l'article N°: IRF640NPBF SP001570078 Poids de l''unité: 6 g