TRANSISTOR MOSFET N-CHANNEL 150V 35A

Fabricant: Infineon Catégorie du produit: MOSFET Technologie: Si Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220-3 Polarité du transistor: N-Channel Nombre de canaux: 1 Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 150 V Id - Courant continu de fuite: 35 A Rds On - Résistance drain-source: 32 mOhms Vgs - Tension grille-source: - 20 V, + 20 V Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1.8 V Qg - Charge de grille: 26 nC Température de fonctionnement min.: - 55 C Température de fonctionnement max.: + 175 C Pd - Dissipation d’énergie : 144 W Mode canal: Enhancement Conditionnement: Tube Marque: Infineon Technologies Configuration: Single Hauteur: 15.65 mm Longueur: 10 mm Type de produit: MOSFET 1000 Sous-catégorie: MOSFETs Type de transistor: 1 N-Channel Largeur: 4.4 mm Poids de l''unité: 2 g