TRANSISTOR N-MOSFET 600V 11A 35W TO220-3

Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Détails Technologie: Si Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220-3 Polarité du transistor: N-Channel Nombre de canaux: 1 Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 600 V Id - Courant continu de fuite: 11 A Rds On - Résistance drain-source: 450 mOhms Vgs - Tension grille-source: - 30 V, + 30 V Vgs th - Tension de seuil grille-source : 3 V Qg - Charge de grille: 40 nC Température de fonctionnement min.: - 65 C Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 35 W Mode canal: Enhancement Série: STP11NM60FD Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Configuration: Single Temps de descente: 15 ns Hauteur: 9.3 mm Longueur: 10.4 mm Type de produit: MOSFET Temps de montée: 16 ns 1000 Sous-catégorie: MOSFETs Type de transistor: 1 N-Channel Délai d'activation standard: 20 ns Largeur: 4.6 mm Poids de l''unité: 2 g