TRANSISTOR BIPOLAIRE BJT 500mA 30V NPN
- Reference: BC818-40LT1G
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Description
Fabricant: onsemi
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS: Détails
Style de montage: SMD/SMT
Package/Boîte: SOT-23-3
Polarité du transistor: NPN
Configuration: Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 25 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 30 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 700 mV
Courant CC max. du collecteur: 500 mA
Pd - Dissipation d’énergie : 225 mW
Produit gain-bande passante fT : 100 MHz
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Série: BC818
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Conditionnement: MouseReel
Marque: onsemi
Courant de collecteur continu : 500 mA
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 250
Hauteur: 0.94 mm
Longueur: 2.9 mm
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: Si
Largeur: 1.3 mm
Poids de l''unité: 8 mg
Data sheet
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Marque
DIVERS
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