TRANSISTOR BIPOLAIRE BJT 100mA 50V PNP

Fabricant:    onsemi    

Catégorie du produit:    Transistors bipolaires - BJT    

RoHS:     Détails    

Style de montage:    SMD/SMT    

Package/Boîte:    SOT-23-3    

Polarité du transistor:    PNP    

Configuration:    Single    

Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:    45 V    

Collecteur - Tension de base VCBO:    50 V    

Émetteur - Tension de base VEBO:    5 V    

Tension de saturation collecteur-émetteur :    650 mV    

Courant CC max. du collecteur:    100 mA    

Pd - Dissipation d’énergie :    225 mW    

Produit gain-bande passante fT :    100 MHz    

Température de fonctionnement min.:    - 55 C    

Température de fonctionnement max.:    + 150 C    

Série:    BC857BL    

Marque:    onsemi    

Courant de collecteur continu :    - 100 mA    

Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:    220    

Hauteur:    0.94 mm    

Longueur:    2.9 mm    

Type de produit:    BJTs - Bipolar Transistors    

Sous-catégorie:    Transistors    

Technologie:    Si    

Largeur:    1.3 mm    

Poids de l''unité:    8 mg