TRANSISTOR MOSFET 600V N-CHANNEL

Fabricant:    Vishay    

Catégorie du produit:    MOSFET    

RoHS:     Détails    

REACH - SVHC:        

Technologie:    Si    

Style de montage:    SMD/SMT    

Polarité du transistor:    N-Channel    

Nombre de canaux:    1 Channel    

Vds - Tension de rupture drain-source:    600 V    

Id - Courant continu de fuite:    25 A    

Rds On - Résistance drain-source:    125 mOhms    

Vgs - Tension grille-source:    - 30 V, + 30 V    

Vgs th - Tension de seuil grille-source :    5 V    

Qg - Charge de grille:    31 nC    

Température de fonctionnement min.:    - 55 C    

Température de fonctionnement max.:    + 150 C    

Pd - Dissipation d’énergie :    179 W    

Mode canal:    Enhancement    

Série:    EF    

Marque:    Vishay Semiconductors