TRANSISTOR MOSFET 600V N-CHANNEL
- Reference: SIHB125N60EF-GE3
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Description
Fabricant: Vishay
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS: Détails
REACH - SVHC:
Technologie: Si
Style de montage: SMD/SMT
Polarité du transistor: N-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 600 V
Id - Courant continu de fuite: 25 A
Rds On - Résistance drain-source: 125 mOhms
Vgs - Tension grille-source: - 30 V, + 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 5 V
Qg - Charge de grille: 31 nC
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Pd - Dissipation d’énergie : 179 W
Mode canal: Enhancement
Série: EF
Marque: Vishay Semiconductors
Data sheet
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Marque
DIVERS
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