TRANSISTOR CMS BJT NPN 120V 100mA Boitier SOT-346-3

Fabricant:    Toshiba    

Catégorie du produit:    Transistors bipolaires - BJT    

RoHS:     Détails    

Style de montage:    SMD/SMT    

Package/Boîte:    SOT-346-3    

Polarité du transistor:    NPN    

Configuration:    Single    

Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:    120 V    

Collecteur - Tension de base VCBO:    120 V    

Émetteur - Tension de base VEBO:    5 V    

Tension de saturation collecteur-émetteur :    300 mV    

Courant CC max. du collecteur:    100 mA    

Pd - Dissipation d’énergie :    150 mW    

Produit gain-bande passante fT :    100 MHz    

Température de fonctionnement min.:    -    

Température de fonctionnement max.:    + 125 C    

Série:    2SC2713    

Conditionnement:    Reel    

Conditionnement:    Cut Tape    

Conditionnement:    MouseReel    

Marque:    Toshiba    

Courant de collecteur continu :    100 mA    

Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:    200    

Gain de courant CC hFE max.:    700    

Type de produit:    BJTs - Bipolar Transistors    

Sous-catégorie:    Transistors    

Technologie:    Si    

Poids de l''unité:    12 mg