TRANSISTOR FDN352AP MOSFT P CMS

Fabricant:    onsemi    

Catégorie du produit:    MOSFET    

RoHS:     Détails    

Technologie:    Si    

Style de montage:    SMD/SMT    

Package/Boîte:    SSOT-3    

Polarité du transistor:    P-Channel    

Nombre de canaux:    1 Channel    

Vds - Tension de rupture drain-source:    30 V    

Id - Courant continu de fuite:    1.3 A    

Rds On - Résistance drain-source:    180 mOhms    

Vgs - Tension grille-source:    - 25 V, + 25 V    

Vgs th - Tension de seuil grille-source :    2.5 V    

Qg - Charge de grille:    1.9 nC    

Température de fonctionnement min.:    - 55 C    

Température de fonctionnement max.:    + 150 C    

Pd - Dissipation d’énergie :    500 mW    

Mode canal:    Enhancement    

Série:    FDN352AP    

Conditionnement:    Reel    

Conditionnement:    Cut Tape    

Conditionnement:    MouseReel    

Marque:    onsemi / Fairchild    

Configuration:    Single    

Temps de descente:    15 ns    

Transconductance directe - min.:    2 S    

Hauteur:    1.12 mm    

Longueur:    2.9 mm    

Produit:    MOSFET Small Signals    

Type de produit:    MOSFET    

Temps de montée:    15 ns    

Sous-catégorie:    MOSFETs    

Type de transistor:    1 P-Channel    

Type:    MOSFET    

Délai de désactivation type:    10 ns    

Délai d'activation standard:    4 ns    

Largeur:    1.4 mm    

Raccourcis pour l'article N°:    FDN352AP_NL    

Poids de l''unité:    30 mg