MOSFET 200V N-CHANNEL

Fabricant: onsemi Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Détails REACH - SVHC: Technologie: Si Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220-3 Polarité du transistor: N-Channel Nombre de canaux: 1 Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Id - Courant continu de fuite: 52 A Rds On - Résistance drain-source: 49 mOhms Vgs - Tension grille-source: - 30 V, + 30 V Vgs th - Tension de seuil grille-source : 3 V Qg - Charge de grille: 63 nC Température de fonctionnement min.: - 55 C Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 357 W Mode canal: Enhancement Série: FDP52N20 Conditionnement: Tube Marque: onsemi / Fairchild Configuration: Single Temps de descente: 29 ns Transconductance directe - min.: 35 S Hauteur: 16.3 mm Longueur: 10.67 mm Type de produit: MOSFETs Temps de montée: 175 ns Sous-catégorie: Transistors Type de transistor: 1 N-Channel Type: MOSFET Délai de désactivation type: 48 ns Délai d'activation standard: 53 ns Largeur: 4.7 mm Poids de l''unité: 2 g