TRANSISTOR BIPOLAIRE BJT NPN 80V 1A

Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT Fabricant: ROHM Semiconductor RoHS: RoHS : conforme Détails Style de montage: SMD/SMT Polarité du transistor: NPN Configuration: Single Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 80 V Collecteur - Tension de base VCBO: 120 V Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V Tension de saturation collecteur-émetteur : 0.15 V Courant CC max. du collecteur: 2 A Produit gain-bande passante fT : 100 MHz Température de fonctionnement max.: + 150 C Série: 2SD1733 Marque: ROHM Semiconductor Courant de collecteur continu : 1 A Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 120 Gain de courant CC hFE max.: 390 Hauteur: 2.3 mm Longueur: 6.5 mm Température de fonctionnement min.: - 55 C Conditionnement: Reel Pd - Dissipation d’énergie : 10 W Largeur: 5.5 mm