• TRANSISTOR BIPOLAIRE BJT 16A 250V 200W NPN
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TRANSISTOR BIPOLAIRE BJT 16A 250V 200W NPN

  • Reference: MJW21196G
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Description

Transistors bipolaires - BJT 16A 250V 200W NPN Fabricant: onsemi Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT RoHS: Détails Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-247-3 Polarité du transistor: NPN Configuration: Single Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 250 V Collecteur - Tension de base VCBO: 400 V Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V Tension de saturation collecteur-émetteur : 3 V Courant CC max. du collecteur: 16 A Pd - Dissipation d’énergie : 200 W Produit gain-bande passante fT : 4 MHz Température de fonctionnement min.: - 65 C Température de fonctionnement max.: + 150 C Série: MJW21196 Conditionnement: Tube Marque: onsemi Courant de collecteur continu : 16 A Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 20 Hauteur: 21.08 mm Longueur: 16.26 mm Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors 30 Sous-catégorie: Transistors Technologie: Si Largeur: 5.3 mm Poids de l''unité: 6,100 g

Data sheet

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