TRANSISTOR BIPOLAIRE BJT NPN Sil

Catégorie du produit : Transistors bipolaires - BJT Fabricant : ON Semiconductor RoHS : RoHS : conforme Détails Style de montage : Through Hole Package/Boîte : TO-220-3 Polarité du transistor : NPN Configuration : Single Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. : 400 V Collecteur - Tension de base VCBO : 700 V Émetteur - Tension de base VEBO : 9 V Tension de saturation collecteur-émetteur : 1 V Courant CC max. du collecteur : 12 A Produit gain-bande passante fT : 4 MHz Température de fonctionnement max. : + 150 C Série : FJP13009 Marque : ON Semiconductor / Fairchild Courant de collecteur continu : 12 A Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base : 8 Hauteur : 9.4 mm (Max) Longueur : 10.1 mm (Max) Température de fonctionnement min. : - 65 C Pd - Dissipation d’énergie : 100 W Largeur : 4.7 mm (Max) Poids de l''unité : 1,800 g