MOSFET TRENCH POWER MOSFET 200V 60A IXYS (6080)

Fabricant: IXYS Catégorie du produit: MOSFET Technologie: Si Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220AB-3 Nombre de canaux: 1 Channel Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Id - Courant continu de fuite: 60 A Rds On - Résistance drain-source: 40 mOhms Vgs th - Tension de seuil grille-source : 3 V Vgs - Tension grille-source: 10 V Qg - Charge de grille: 73 nC Température de fonctionnement min.: - 55 C Température de fonctionnement max.: + 175 C Pd - Dissipation d’énergie : 500 W Configuration: Single Mode canal: Enhancement Nom commercial: HiPerFET Conditionnement: Tube Série: IXTP60N20 Type de transistor: 1 N-Channel Marque: IXYS Transconductance directe - min.: 40 S Temps de descente: 13 ns Type de produit: MOSFET Temps de montée: 13 ns Sous-catégorie: MOSFETs Délai de désactivation type: 33 ns Délai d'activation standard: 22 ns Poids de l''unité: 350 mg