TRANSISTOR BJT 8A 150V 50W PNP

Fabricant: onsemi Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220-3 Polarité du transistor: PNP Configuration: Single Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: - 150 V Collecteur - Tension de base VCBO: - 150 V Émetteur - Tension de base VEBO: - 5 V Tension de saturation collecteur-émetteur : - 500 mV Courant CC max. du collecteur: - 8 A Pd - Dissipation d’énergie : 50 W Produit gain-bande passante fT : 30 MHz Température de fonctionnement min.: - 65 C Température de fonctionnement max.: + 150 C Série: MJE15031 Conditionnement: Tube Marque: onsemi Courant de collecteur continu : 8 A Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 40 Hauteur: 15.75 mm Longueur: 10.53 mm Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors Sous-catégorie: Transistors Technologie: Si Largeur: 4.83 mm Poids de l''unité: 6 g