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TRANSISTOR BIPOLAIRE BJT 16A 250V 200W NPN
- Référence: MJW21196G
- En stock : 3 Produits
10,90 € TTC
Description
Transistors bipolaires - BJT 16A 250V 200W NPN
Fabricant: onsemi
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS: Détails
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-247-3
Polarité du transistor: NPN
Configuration: Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 250 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 400 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 3 V
Courant CC max. du collecteur: 16 A
Pd - Dissipation d’énergie : 200 W
Produit gain-bande passante fT : 4 MHz
Température de fonctionnement min.: - 65 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Série: MJW21196
Conditionnement: Tube
Marque: onsemi
Courant de collecteur continu : 16 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 20
Hauteur: 21.08 mm
Longueur: 16.26 mm
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
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Sous-catégorie: Transistors
Technologie: Si
Largeur: 5.3 mm
Poids de l''unité: 6,100 g
Fiche technique
-
Marque
DIVERS
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