• TRANSISTOR BIPOLAIRE BJT 500mA 50V NPN
TRANSISTOR BIPOLAIRE BJT 500mA 50V NPN zoom_in

TRANSISTOR BIPOLAIRE BJT 500mA 50V NPN

  • Référence: BC817-16LT3G
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Description

Fabricant:    onsemi    

Catégorie du produit:    Transistors bipolaires - BJT    

RoHS:     Détails    

Style de montage:    SMD/SMT    

Package/Boîte:    SOT-23-3    

Polarité du transistor:    NPN    

Configuration:    Single    

Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:    45 V    

Collecteur - Tension de base VCBO:    50 V    

Émetteur - Tension de base VEBO:    5 V    

Tension de saturation collecteur-émetteur :    700 mV    

Courant CC max. du collecteur:    500 mA    

Pd - Dissipation d’énergie :    225 mW    

Produit gain-bande passante fT :    100 MHz    

Température de fonctionnement min.:    - 65 C    

Température de fonctionnement max.:    + 150 C    

Série:    BC817-16L    

Conditionnement:    Reel    

Conditionnement:    Cut Tape    

Conditionnement:    MouseReel    

Marque:    onsemi    

Courant de collecteur continu :    500 mA    

Hauteur:    0.94 mm    

Longueur:    2.9 mm    

Type de produit:    BJTs - Bipolar Transistors    

Sous-catégorie:    Transistors    

Technologie:    Si    

Largeur:    1.3 mm    

Poids de l''unité:    8 mg

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