TRANSISTOR BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd:200mW F:200MHz TOSHIBA

TRANSISTOR BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz TOSHIBA Fabricant: Toshiba Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT RoHS: Détails Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: TO-236-3 Polarité du transistor: PNP Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: - 50 V Collecteur - Tension de base VCBO: - 50 V Émetteur - Tension de base VEBO: - 5 V Tension de saturation collecteur-émetteur : - 0.1 V Courant CC max. du collecteur: - 500 mA Produit gain-bande passante fT : 200 MHz Série: 2SA1313 Gain de courant CC hFE max.: 240 Hauteur: 1.1 mm Longueur: 2.9 mm Conditionnement: Cut Tape Largeur: 1.5 mm Marque: Toshiba Courant de collecteur continu : - 500 mA Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 25 Pd - Dissipation d’énergie : 200 mW Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors