TRANSISTOR MOSFET N-Ch 800V 0,76 Ohm 6 A MDmesh K5

Fabricant: STMicroelectronics
Catégorie de produit: MOSFET
RoHS :
Technologie: Si
Style de montage : Trou traversant
Paquet/Caisse : TO-220-3
Polarité du transistor : Canal N
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 800 V
Id - Courant de décharge continu : 6 Un
Rds On - Résistance drain-source : 950 mOhms
Vgs - Tension grille-source : - 30 V, + 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 4 V
Qg - Charge de porte : 16,5 nC
Température minimale de fonctionnement : - 55 °C
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 110 W
Mode canal : Renforcement
Nom commercial : SuperMESH
Conditionnement: Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Célibataire
Temps d'automne : 20 ns
Type de produit: MOSFET
Temps de montée : 14 ns