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MOSFET 200V N-CHANNEL
- Référence: FDP52N20
- En stock : 2 Produits
4,58 €
Description
Fabricant: onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS: Détails
REACH - SVHC:
Technologie: Si
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-220-3
Polarité du transistor: N-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V
Id - Courant continu de fuite: 52 A
Rds On - Résistance drain-source: 49 mOhms
Vgs - Tension grille-source: - 30 V, + 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 3 V
Qg - Charge de grille: 63 nC
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Pd - Dissipation d’énergie : 357 W
Mode canal: Enhancement
Série: FDP52N20
Conditionnement: Tube
Marque: onsemi / Fairchild
Configuration: Single
Temps de descente: 29 ns
Transconductance directe - min.: 35 S
Hauteur: 16.3 mm
Longueur: 10.67 mm
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 175 ns
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Type: MOSFET
Délai de désactivation type: 48 ns
Délai d'activation standard: 53 ns
Largeur: 4.7 mm
Poids de l''unité: 2 g
Fiche technique
-
Marque
DIVERS
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